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新闻中心后摩智能首款RRAM大容量存储芯片成功点亮并完成测试验证

后摩智能首款RRAM大容量存储芯片成功点亮并完成测试验证

2023-08-21

后摩智能首款RRAM大容量存储芯片于2022年下旬设计完毕并投片。


近期,后摩智能完成首款可商用的RRAM测试及应用场景开发,探测及证实了现有工业级的RRAM的技术边界。后续将与车规级应用场景结合,希望与伙伴共同打造新兴存储及新型存算计算范式,赋能客户。



目前,后摩智能该款RRAM芯片能够满足在高质量/高安全性要求的商用场景,更新版本可以实现对车规级应用的支持,尤其是车载娱乐系统、部分低等级车规要求,在工业电子类/消费电子类,其功能/性能能满足对eFlash场景的替代,甚至能够改变原有计算架构,对只读/少读场景有较大的革命优势,尤其在亚22nm工艺之后,有望能够进一步成为高端芯片的嵌入式存储器使用。


在功耗性能方面,其整体功耗低至60mW,支持power down模式,支持不同区域分别关断功能,支持sleep模式等,可以进一步在不同应用场景进行功耗控制。


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随着RRAM的成功研发及边界测试完成,后摩智能可进一步进行定制化的产品设计以及赋能智能化应用场景,为客户提供先进非易失存储器,尤其是嵌入式的存储器的设计能力,逐步形成以0.5 MB ~ 128 MB范围的嵌入式存储器定制化服务,在此基础上提供不同容量的控制器解决方案、安全防护解决方案、产品定制化解决方案等。


其中三种基础IP的性能简介如下:

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关于RRAM:


新兴阻变存储器RRAM具有CMOS兼容特性,其工艺简单,仅需两层额外的MASK就可以实现RAM的性能和能力,并且相比于传统的工作存储器来说,具有快速读写速度、低功耗、高密度、非挥发性等多种优势。


RRAM高密度的优势,在单元面积方面小于现有的静态随机存储器,并且其写入功耗仅为eFLASH的百分之一,能够对未来场景进行赋能,尤其是CMOS 28 nm以下的嵌入式应用场景,其优势进一步扩大,长期以来受到了学术界及工业界的广泛关注。


当前,RRAM已经能够在一些消费端及工业端得到应用,替代或者赋能已有的应用场景包括智能手表、智能耳机、便携设备以及自动驾驶等。


尤其是在高端MCU中,国际巨头已经在先进工艺的MCU中进行先进嵌入式非易失存储器的布局。随着国内外巨头企业技术研发的跟进,先进工艺的RRAM和MRAM的应用落地进一步得到认可。



后摩现有的RRAM及MRAM不仅满足消费、工业的要求,后续将与车规级应用场景结合,进一步将新兴非易失存储器应用到自身的核心业务中,希望与伙伴共同打造新兴存储及新型存算计算范式,赋能客户。